原位MEMS加熱/電學(xué)樣品桿系列

產(chǎn)品介紹

在標(biāo)準(zhǔn)外形的透射電鏡樣品桿加裝芯片控制單元，通過(guò)芯片對(duì)單個(gè)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行溫度調(diào)控和電學(xué)測(cè)量。在進(jìn)行原位操縱的同時(shí)利用透射電鏡及相關(guān)附件實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)地對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征。該系列產(chǎn)品的分辨率指標(biāo)及漂移指標(biāo)均達(dá)到優(yōu)秀水平，并可以同時(shí)兼容EELS、EDS等附件

產(chǎn)品特色

原位加熱/電學(xué)測(cè)量系統(tǒng)

在樣品桿內(nèi)安裝MEMS工藝制成的微加熱芯片和電學(xué)測(cè)量芯片。微加熱芯片可對(duì)樣品進(jìn)行可控溫度的加熱，電學(xué)測(cè)量芯片可對(duì)樣品進(jìn)行電性質(zhì)測(cè)量。

本系統(tǒng)硬件包括兩部分，分別是加熱/電學(xué)測(cè)量控制器、原位MEMS芯片樣品桿，軟件包括自動(dòng)控溫軟件和自動(dòng)電學(xué)測(cè)量軟件。

1.加熱指標(biāo)                                                                                  2.電學(xué)指標(biāo)

溫度控制范圍: 室溫到1200 ℃                                                      包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元

加熱功率:最大30 W                                                                     電壓輸出最大 ± 200 V，最小 ± 5 μV

控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于 ± 0.1 ℃                                                             電流測(cè)量最大 ± 1.5 A，最小 ± 100 fA

最大升溫速率:100 °C/s                                                                恒壓或者恒流模式

軟件控制                                                                                     軟件控制

3.熱電測(cè)量功能                                                                            4.TEM指標(biāo)

6電極、8電極芯片                                                                        兼容電鏡型號(hào)及極靴

雙通道源表，加熱時(shí)同時(shí)測(cè)電                                                        可選雙傾版本，β角傾轉(zhuǎn) ± 25°(同時(shí)受限于極靴)

單傾可選高傾角版本

                                                                               測(cè)量電極數(shù)可選

芯片可定制

應(yīng)用案例

高溫下原子級(jí)別EELS

電場(chǎng)下的疇變化

部分產(chǎn)品精選

原位雙傾熱電一體測(cè)量系統(tǒng)、原位加熱/電學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、真空轉(zhuǎn)移芯片測(cè)量系統(tǒng)（樣品桿端頭可伸縮）、液氮低溫芯片測(cè)量系統(tǒng)